세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 TSMC가 역대 최대 규모의 투자 계획을 밝히며 ‘선두 굳히기’에 나섰다. 삼성전자는 미국 제2 파운드리 공장 착공 등에 속도를 붙이면서 맹렬하게 추격하고 있다.
17일 업계와 외신 등에 따르면 TSMC는 올해 400억~440억 달러(약 47조5000억~52조3000억원) 규모의 설비투자를 한다고 지난 13일(현지시간) 발표했다. 지난해 투자 규모(300억 달러)를 크게 웃돈다. TSMC는 “투자액 70~80%를 초미세 공정인 2·3·5·7나노미터(1㎚=10억분의 1ｍ) 공정개발에 투입하겠다”고 밝혔다.
업계에선 TSMC의 이번 투자가 ‘2위 삼성전자 따돌리기’ ‘1위 다지기’라고 분석한다. 지난해 3분기 기준으로 TSMC의 글로벌 파운드리 시장점유율은 53.1%다. 2위(삼성전자 17.1%)를 크게 앞지르고 있다. 다만 5나노 이하 초미세 공정에서 두 회사는 치열하게 점유율 경쟁을 벌이는 중이다. 현재 5나노 공정을 할 수 있는 기업은 TSMC와 삼성전자뿐이다.
두 회사는 2·3나노 공정에서도 기술력 대결을 하고 있다. 삼성전자는 TSMC보다 앞서 올해 상반기에 3나노 반도체를 양산할 계획이다. 3나노 반도체는 인공지능(AI), 5G, 사물인터넷(IoT) 등 최첨단 기술에 활용된다. 퀄컴, 애플, 구글 등 빅테크 기업이 주요 고객으로 자리할 가능성이 크다. 2나노 공정에선 TSMC가 속도를 내고 있다. TSMC는 세계 최초로 2나노 공정 반도체 양산을 위해 신규 공장용지 마련에 나선 것으로 알려졌다.
‘2030년까지 시스템반도체 세계 1위’를 노리는 삼성전자도 적극적으로 맞불을 놓고 있다. 외신 등에 따르면 삼성전자의 제2 파운드리 공장이 들어설 미국 텍사스주 테일러 시정부는 지난 13일(현지시간) 공장용지 개발을 위한 행정 절차를 개시했다. 테일러 시의회는 삼성전자가 요청한 시 경계 외곽지역을 개발 계획에 편입하고 새로운 공장용지에 병합하는 조례를 승인했다. 올해 상반기 착공 예정이다.
20조원 규모의 신규 공장은 ‘시스템반도체 비전 2030’ 달성의 핵심이다. 삼성전자는 올해 경기도 평택캠퍼스의 3번째 반도체 생산라인 ‘P3’ 공장 완공, ‘P4’ 착공이라는 대규모 설비투자·증설도 앞두고 있다. 반도체 업계 관계자는 “미세공정은 결국 장비에 따라 기술력이 좌우된다. 두 회사 모두 투자에서 ‘규모의 경쟁’을 벌일 수밖에 없다”고 말했다.
양한주 기자 1week@kmib.co.kr
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