SK하이닉스가 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8G밷(기가비트) DDR4 D램을 개발했다. 내년 1분기부터 공급에 나서 앞으로 더 늘어날 것으로 예상되는 D램 시장 수요에 적극 대응한다는 방침이다.
12일 SK하이닉스에 따르면 이번 2세대 제품은 1세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 전력 소비는 15% 이상 감축해 업계 최고 수준의 전력 효율도 갖췄다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 구현할 수 있다.
SK하이닉스는 새로운 설계 기술인 ‘4페이스 클로킹’으로 제품을 개발했다. 데이터를 전송할 때 주고받는 신호를 기존 대비 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 끌어올리는 기술이다. 고속도로 요금 정산소를 늘려 차량 통행을 원활하게 만드는 원리와 같다.
SK하이닉스는 신제품에 독자적인 ‘센스 앰프 제어 기술’도 적용했다. 기존 D램 미세공정은 트랜지스터 크기가 줄어 오류 발생 가능성이 크다. 이에 SK하이닉스는 트랜지스터의 구조를 개선해 오류 발생 가능성을 낮췄다. 또 데이터 증폭·전달 기능을 하는 회로에 전력 소모가 낮은 내부 전원을 추가해 불필요한 전력 사용을 막았다.
SK하이닉스 김석 D램 마케팅 담당 상무는 “이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품”이라고 강조했다.
유성열 기자 nukuva@kmib.co.kr
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SK하이닉스, 생산성 20% ↑ 전력 15% ↓ 2세대 10나노급 DDR4 D램 개발
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