삼성전자가 기존 ‘내장형 메모리’보다 1000배 빠른 제품을 내놨다. 내장형 메모리는 사물인터넷(IoT) 기기나 SoC(1개의 칩에 처리장치, 메모리 등이 모두 들어있는 제품)에 들어가는데 주로 파운드리(반도체 위탁생산)에 활용된다. 향후 삼성전자 파운드리 사업 경쟁력을 높이는 데 기여할 것으로 예상된다.
삼성전자는 28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM(내장형 MRAM) 솔루션 제품을 출하하기 시작했다고 6일 밝혔다. 삼성전자는 이날 기흥캠퍼스에서 제품의 첫 출하를 기념하는 행사를 가졌다. FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 전류가 새는 것을 줄이는 공정이다. MRAM은 D램 수준으로 속도가 빠르면서도, 전원을 꺼도 데이터가 지워지지 않는 플래시 메모리의 특성이 있다. 지금까지 내장형 메모리에는 주로 플래시 메모리를 기반으로 한 e플래시가 사용됐다. 삼성전자의 28나노 FD-SOI eMRAM은 e플래시보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 낸다.
삼성전자 파운드리 사업부는 SoC에 이 제품을 결합해 파운드리 분야 기술 리더십을 강화할 계획이다. 삼성전자의 eMRAM 솔루션은 단순한 구조로 돼 있어서 고객사로선 설계 부담을 줄이고 생산비용을 낮출 수 있다고 회사 측은 설명했다.
삼성전자는 올해 안에 1Gb eMRAM 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대해 차별화된 파운드리 경쟁력을 제공한다는 전략이다. 삼성전자 파운드리사업부 이상현 상무는 “신소재 활용의 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다”며 “검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 eMRAM을 확대 적용해 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 제공함으로써 고객과 시장의 요구에 대응해갈 것”이라고 밝혔다.
김준엽 기자
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