삼성전자는 세계 최초로 ‘6세대 V낸드 솔리드스테이트드라이브(SSD)’(사진) 양산에 돌입했다고 6일 밝혔다. 반도체의 공정 미세화 한계를 극복한 ‘기술 초격차’ 전략으로 일본의 핵심소재 수출규제 상황을 정면 돌파하겠다는 삼성전자의 의지가 엿보인다.
이번 제품은 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일공정으로 만들면서도 ‘속도·생산성·절전’ 특성을 동시에 향상시켰다는 게 삼성전자 측 설명이다. 피라미드 모양으로 쌓은 3차원 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀을 최상단에서 최하단까지 수직으로 한 번에 균일하게 뚫는 공정 기술을 적용, 100단 이상의 V낸드를 생산하는 기업은 글로벌 업계에서 삼성전자가 유일하다.
앞서 지난 6월 SK하이닉스는 6세대 128단 4차원(4D) 낸드를 최초로 개발 및 양산한다고 발표했다.
다만 6세대 V낸드 기반의 제품 적용은 내년 상반기 이후 가능할 것으로 보인다. 셀을 초고단층으로 쌓았음에도 삼성전자는 ‘초고속 설계’ 기술을 적용해 한계를 극복해냈다. 이로써 데이터 쓰기시간 450마이크로세컨드(㎲) 이하, 읽기응답 대기시간 45㎲ 이하로 역대 최고속도 달성이 가능해졌다. 또 삼성전자는 6세대 V낸드에서 6.7억개 미만의 채널 홀로 256Gb 용량을 구현함으로써 5세대 V낸드(9x단, 약 9.3억개 채널 홀) 대비 공정 수와 칩 크기를 줄여 생산성도 20% 이상 향상시켰다.
삼성전자는 차세대 플래그십 스마트폰에서 요구하는 초고속 초절전 특성을 업계 최초로 만족시킴에 따라 향후 글로벌 모바일 시장 선점에도 적극 나선다는 계획이다. 올해 하반기 512Gb 3비트 V낸드 기반 SSD와 eUFS(embedded Universal Flash Storage·내장형 범용 플래시메모리 저장장치) 등 다양한 용량과 규격의 제품을 계속 출시할 계획이다. 내년부터는 평택 V낸드 전용라인에서 성능을 더욱 높인 6세대 V낸드 기반 SSD 라인업을 본격적으로 확대할 예정이다.
김성훈 기자
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