2030년 비메모리 반도체 1위를 목표로 제시한 삼성전자가 차세대 파운드리(반도체 위탁생산) 기술인 ‘3나노 GAA’ 공정을 공개하고 관련 공정설계 키트를 팹리스(반도체 설계 전문업체)에 배포했다. 3나노 GAA 공정은 경쟁사보다 1년 이상 앞선 것으로 평가되는 기술력이다.
삼성전자는 14일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2019’를 개최했다고 15일 밝혔다. 삼성 파운드리 포럼은 매년 파운드리 사업 로드맵과 신기술을 소개하기 위해 열리는 행사다.
삼성전자는 지난해 포럼에서 GAA를 3나노 공정에 도입하겠다는 전략을 밝힌 데 이어 올해는 실제로 팹리스 업체들의 제품 설계 지원을 위해 공정설계 키트를 제공했다. GAA 구조는 전류의 흐름을 더 세밀하게 제어할 수 있도록 한다.
3나노 GAA 공정은 칩 면적을 45% 정도 줄이는 동시에 소비전력을 50% 감축하되 성능은 35% 향상된다. 모바일과 인공지능(AI), 5G, 전장, 사물인터넷(IoT) 등 고성능·저전력을 요구하는 차세대 반도체에 활용될 것으로 전망된다.
삼성전자는 또 3나노 공정에서 독자 기술인 MBCFET를 통해 팹리스 고객사에 차별화된 제품을 제공할 계획이라고 설명했다. MBCFET는 기존 설비와 제조기술을 그대로 활용하면서도 성능과 전력효율을 높일 수 있도록 하는 기술이다.
이와 함께 삼성전자는 팹리스 고객사에 설계 편의를 제공하기 위해 ‘세이프 클라우드(SAFE-Cloud)’ 서비스를 시작한다. 아마존웹서비스(AWS), 마이크로소프트(MS), 자동화 설계툴(EDA) 회사인 케이던스, 시놉시스와 함께 진행하는 서비스로 속도와 보안성이 검증된 클라우드 환경을 제공한다. 팹리스 업체들은 이 서비스를 통해 삼성전자와 파트너사들이 제공하는 공정설계 키트, 설계 방법론, 자동화 설계툴, 설계자산을 이용할 수 있다. 이를 통해 투자비용을 줄이는 동시에 빠르게 반도체를 제작할 수 있는 것이다.
이번 포럼에는 글로벌 팹리스 고객과 파트너사 관계자 800여명이 참가해 4차 산업혁명 시대를 주도하는 반도체 기술을 공유했다. 삼성전자 파운드리사업부 정은승 사장은 “반도체 공정과 생산, 패키지 분야에서 앞서는 것뿐만 아니라 파운드리 업체와 고객, 파트너가 서로 신뢰하고 비전을 공유하는 것도 매우 중요하다”며 “이번 포럼을 통해 기술적 성과와 목표를 공유할 수 있어 기쁘다”고 말했다.
유성열 기자 nukuva@kmib.co.kr
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