현존 최고속도 모바일 D램 ‘IO2’ 개발

SK하이닉스는 기존 모바일 D램보다 처리속도가 4배 빠른 고성능 와이드 IO2(사진) 모바일 D램을 업계 최초로 개발했다고 3일 밝혔다.

와이드 IO2는 반도체표준화기구인 JEDEC에서 표준화를 진행 중인 차세대 고성능 모바일 D램의 한 종류다. SK하이닉스가 이번에 내놓은 제품은 20나노급 공정을 적용한 8Gb(기가비트) 용량이다.

기존에 나와 있던 LPDDR4보다 속도가 크게 향상된 게 가장 큰 특징이다. LPDDR4는 3200Mbps 속도로 작동하며 32개의 정보입출구(I/O)가 있어서 초당 12.8GB(기가바이트)의 데이터 처리가 가능했다. 반면 와이드 IO2는 800Mbps의 속도지만 정보입출구가 512개나 있어 초당 51.2GB의 데이터를 실어 나를 수 있다. LPDDR4보다 4배 빠른 것으로 현재까지 나온 모바일 D램 중에서 가장 빠르다. 속도는 빠르지만 LPDDR4와 같은 1.1V 전압에서 작동해 전력 소모 대비 효율이 뛰어나다.

SK하이닉스는 현재 주요 시스템온칩(SoC) 업체에 샘플을 공급했으며, 내년 하반기부터 양산에 나서 고성능 모바일 D램 시장 공략을 강화한다는 계획이다.

김준엽 기자 snoopy@kmib.co.kr



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