삼성전자가 평택캠퍼스에 초미세 공정 극자외선(EUV) 파운드리 생산 시설을 구축한다. 파운드리 1위 대만 TSMC와 초미세 공정 경쟁에서 앞서갈 수 있을지 주목된다.
삼성전자는 EUV 기반의 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다고 21일 밝혔다.
삼성전자는 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수했으며, 2021년 하반기부터 본격적으로 가동할 계획이다.
이로써 삼성전자는 화성캠퍼스, 평택캠퍼스 두 곳에서 EUV 공정을 통한 파운드리 생산이 가능해졌다.
삼성전자는 2019년 화성캠퍼스 S3 라인에서 EUV 기반의 7나노 공정 양산을 시작했고, 올해 2월 EUV 전용 V1 라인 가동을 시작했다.
평택캠퍼스는 5나노 공정의 파운드리를 중심으로 할 것으로 예상한다.
삼성전자는 지난해 상반기 7나노 공정, 하반기 6나노 공정에 이어 올해 하반기 5나노 공정 양산을 앞두고 있다.
화성캠퍼스에서 올해 하반기 5나노 공정 양산이 시작되고, 내년 평택캠퍼스까지 가동이 시작되면 삼성전자의 5나노 공정 생산 능력은 크게 확대할 것으로 예상한다.
전 세계 파운드리 업계에서 7나노 이하 초미세 공정을 도입한 곳은 TSMC와 삼성전자 두 곳뿐이다.
TSMC도 올해 안으로 5나노 공정 양산을 시작한다는 목표다.
반도체 초미세 공정은 반도체 위에 그리는 회로의 선을 얼마나 얇게 새겨넣을 수 있는지가 중요하다. 회로폭이 얇을수록 전력 소모는 적고, 성능은 높일 수 있기 때문이다.
초미세 공정 수준과 더불어 생산 능력도 중요하다. 글로벌 팹리스(반도체 설계만 하는 것) 업체들이 발주할 때 생산 능력도 중요한 고려 사항이기 때문이다.
5G, 고성능컴퓨터(HPC), 인공지능(AI) 등의 분야에서 초미세 공정을 도입한 반도체 수요가 앞으로 많이 늘어날 것으로 예상한다.
삼성전자 DS부문 파운드리사업부 정은승 사장은 “5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것”이라며 “전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것”이라고 밝혔다.
김준엽 기자 snoopy@kmib.co.kr
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