SK하이닉스가 극자외선(EUV) 미세공정 기술을 활용한 10나노급 4세대(1a) 모바일 D램(사진)을 본격적으로 양산한다.
SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다. LPDDR4는 스마트폰 등 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램을 말한다.
이 제품은 SK하이닉스 D램 중 처음으로 EUV 공정기술이 도입됐다. 회사는 앞서 2세대(1y) 제품 생산에도 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인했다. SK하이닉스는 기술의 안정성을 확보한 만큼 향후 1a D램 모든 제품에 EUV를 활용한다는 입장이다.
생산성 향상으로 원가 경쟁력도 높였다. 1a D램은 이전 3세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수급량이 약 25% 늘어났다. 1a D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사에 공급된다. 지난해 10월 SK하이닉스가 세계 최초로 출시한 차세대 D램 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.
양한주 기자 1week@kmib.co.kr