삼성, 10나노급 2세대 D램 세계 최초로 양산

삼성전자가 세계 최초로 ‘10나노급 2세대 D램’ 양산에 돌입했다. 글로벌 메모리 반도체 분야에서 타사와 기술 격차를 더욱 벌리며 최강자 위치를 굳힌 것으로 평가된다.

삼성전자는 20일 “세계 최초로 칩 사이즈의 ‘10나노급(1나노미터는 10억분의 1ｍ) 8기가비트(Gb) DDR4 D램’을 지난달부터 양산하고 있다”면서 “역대 최고 수준의 공정개발 난제를 극복했다”고 밝혔다. 지난해 2월 1세대 양산을 선언하며 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 지 21개월 만이다. 나노 공정은 회로와 회로 사이 폭을 나노미터 단위로 줄였다는 의미다. 10나노급 2세대 D램은 초고속·초절전·초소형 회로 설계를 적용해 기존 10나노급 1세대 D램 대비 속도는 10% 이상 빨라지고, 소비 전력량은 15% 이상 절감했다. 생산성은 30% 향상됐다.

유성열 기자 nukuva@kmib.co.kr