SK하이닉스 세계최초 6Gb 모바일 D램 개발

SK하이닉스가 스마트폰용 모바일 D램 성능을 한 단계 끌어올릴 수 있는 6Gb(기가비트) LPDDR3 칩(사진)을 세계 최초로 개발했다고 30일 밝혔다. 이 제품을 4단으로 쌓으면 3GB(기가바이트·24Gb) 용량의 모바일 D램을 만들 수 있다.

삼성전자가 지난 7월 세계 최초로 양산에 들어간 4Gb 칩 6개를 쌓아 만든 3GB 모바일 D램보다 진일보했다는 평가다. 6Gb 칩으로 이뤄진 3GB D램은 4Gb로 만든 것보다 전력 소모를 줄여 저전력·고용량의 특성을 요구하는 모바일 기기에 더욱 최적화된 메모리 솔루션을 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 고객들에게 샘플로 공급하기 시작했으며 내년 초 양산에 들어갈 계획이다. 이번에 개발한 6Gb 칩에는 최첨단 20나노미터(1㎚=10억분의 1ｍ)급 공정 기술이 적용됐다. 데이터 처리 속도는 1866Mbps로 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 싱글 채널은 최대 초당 7.4GB, 듀얼 채널은 14.8GB의 데이터를 처리할 수 있다. 현재 스마트폰에는 2GB D램이 주력으로 탑재되고 있으며 3GB D램은 내년 상반기부터 본격 채용될 전망이다.

임세정 기자 fish813@kmib.co.kr