20나노급 낸드플래시 삼성전자 세계 첫 양산
입력 2010-04-19 21:45
삼성전자는 세계 최초로 20나노급 공정으로 낸드플래시 양산을 시작했다고 19일 밝혔다. 메모리 반도체 1위 업체로서 나노급 미세공정에서의 ‘세계 최초’ 행진을 이어간 것. 공정이 미세해질수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나 원가경쟁력을 높일 수 있다.
20나노급 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시는 기존 30나노급 MLC보다 생산성이 50%가량 높다. 삼성전자 측은 “20나노급 MLC 전용 컨트롤러(구동장치)도 함께 개발해 30나노급 제품과 같은 수준의 신뢰성을 확보했다”고 밝혔다.
지난 2월 미국 IM플래시테크놀로지와 하이닉스반도체가 삼성전자보다 먼저 20나노 낸드플래시 개발 소식을 발표했으나 양산은 삼성전자가 앞섰다. IM플래시테크놀로지와 하이닉스는 2∼3분기 중 양산 대열에 합류할 것으로 보인다.
삼성전자는 20나노 낸드플래시가 탑재된 첫 제품으로 휴대용 디지털기기에 쓰이는 메모리카드인 SD카드를 출시했다.
이 카드는 용량이 8기가바이트(GB) 이상인 경우 메모리카드 중 최고 쓰기 속도인 초당 10메가바이트(MB) 이상을 구현한다.
조수인 삼성전자 메모리담당 사장은 “올해 20나노 낸드플래시로 스마트폰용 대용량·고성능 스토리지 시장과 메모리카드 시장을 선점하겠다”고 말했다.
천지우 기자