삼성전자 세계 최초 4Gb DDR3 D램 양산

삼성전자는 세계 반도체업계 최초로 40나노급 공정을 적용한 4기가비트(Gb) DDR3 D램 양산을 시작했다고 24일 밝혔다.

4Gb DDR3 D램은 2Gb DDR3 D램의 업그레이드 제품으로 1.35V와 1.5V 전압에서도 작동한다. 또 데이터 처리 속도는 최대 1.6Gbps로 높였다. 이 D램이 탑재된 모듈은 기존 제품보다 소비전력이 35%나 절감된다. 삼성전자는 이 제품 양산에 맞춰 40나노급 DDR D램 생산 비중을 확대할 방침이다.

한편 삼성전자는 4Gb DDR3 D램을 양산하며 대용량 D램 세계 최초 양산 기록을 이어 가게 됐다. 2005년 6월 세계 최초로 1Gb DDR2 D램 양산을 시작했고, 2007년 9월 2Gb DDR2 D램을 양산했다.

김도훈 기자 kinchy@kmib.co.kr