삼성전자, 세계 최초 30나노 D램 개발… 해외 경쟁사와 기술격차 1년 넘게 벌렸다

삼성전자가 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 D램(사진) 제품을 개발했다고 1일 밝혔다. 30나노급 공정은 반도체 소자에 들어가는 회로의 선폭이 30나노미터(㎚)급이란 뜻이다. 공정이 미세해질수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나 원가 경쟁력을 높일 수 있다.

삼성전자는 지난달 개발한 30나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램을 하반기부터 양산할 계획이다. 이미 고객사들에 제품 샘플을 보내 평가를 마쳤다.

30나노 공정으로 D램을 만들면 40나노급일 때보다 생산량을 60% 높일 수 있다. 50∼60나노급에 비해서는 원가 경쟁력이 2배 이상이다.

또 30나노급 D램은 40나노급에 비해 소비전력을 15% 이상 줄일 수 있어 ‘그린 메모리’에 더욱 가까워진다. 일례로 노트북PC에 30나노급 4기가바이트(GB) D램 모듈을 적용하면 시간당 전력 소비량이 3와트(W) 정도로 가정용 형광등 1개의 10% 수준에 불과하다.

삼성전자는 지난해 1월 40나노급 D램을 만든 뒤 1년 만에 30나노급 개발에 성공했다. 50나노에서 40나노까지 2년 4개월이 걸렸던 것을 감안하면 개발 속도가 상당히 빨라진 것. 현재 30나노 전 단계인 40나노 공정으로 양산하는 업체는 세계 D램 1∼3위인 삼성전자, 하이닉스반도체, 일본 엘피다뿐이다. 하이닉스도 연내 30나노급 개발을 목표로 하고 있다.

삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 “30나노급 D램 개발로 해외 경쟁업체들과의 기술 격차를 1년 이상 벌려놓았다”며 “이를 발판으로 시장 점유율을 계속 확대해가겠다”고 말했다.

천지우 기자 mogul@kmib.co.kr