
중국 기업에 반도체 기술을 유출한 삼성전자 전직 임직원들이 재판에 넘겨졌다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 1일 삼성전자 전직 임원 양모씨, 전직 연구원 신모씨와 권모씨 등 3명을 산업기술보호법 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속 기소했다.
양씨 등은 중국 D램 반도체 회사 CXMT사가 2023년 중국 최초이자 세계 네 번째로 18나노 D램을 개발하는 데 역할을 한 혐의를 받는다. 이들은 삼성전자에서 CXMT로 이직한 뒤 CXMT의 ‘2기 개발팀’ 핵심 인력으로 일하면서 불법 유출된 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가 핵심기술을 부정 사용한 혐의가 적용됐다.
유출된 기술은 삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정기술이다. 이 기술 유출로 삼성전자는 지난해부터 5조원가량 매출 감소가 있었고 향후 수십조원의 피해가 예상된다고 봤다. 검찰에 따르면 이번에 재판에 넘긴 양씨 등은 삼성전자 연봉의 3~5배에 달하는 15억~30억원의 급여를 4~6년간 약속받았던 것으로 조사됐다.
앞서 검찰은 CXMT의 ‘1기 개발팀’에 참여한 삼성전자 전직 부장 김모씨와 연구원 출신 전모씨 등 2명을 재판에 넘겼고 추가 수사를 이어왔다.
신지호 기자 pss@kmib.co.kr
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