SK하이닉스가 단일 칩 기준 업계 최대 용량 D램을 공급한다. 삼성전자가 9월부터 양산한 제품과 같은 용량이다.
SK하이닉스는 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR(Double Data Rate)4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다. 연내 양산 준비를 마치고, 내년부터 본격 양산에 돌입할 예정이다.
16Gb 제품은 단일 칩 기준 업계 최대 용량이다. 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 크다. 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 27% 정도 향상됐다. 극자외선(EUV) 공정 없이도 생산 가능, 원가 경쟁력도 확보했다.
데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200메가비피에스(Mbps)까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여, 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다.
SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LP(Low Power)DDR5와 최고속 D램 고대역폭 메모리(HBM)3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 적용할 방침이다.
강주화 기자 rula@kmib.co.kr
GoodNews paper ⓒ 국민일보(www.kmib.co.kr), 무단전재, 수집, 재배포 및 AI학습 이용 금지
