20나노 8기가 DDR4 서버 D램… 삼성전자, 세계 첫 양산 성공

삼성전자는 업계 최초로 20나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1ｍ) 8기가비트(Gb) DDR4(Double Data Rate 4) 서버 D램(사진) 양산에 성공했다고 21일 밝혔다. 이 제품은 올해 하반기 DDR4 전용 서버 중앙처리장치(CPU) 출시에 맞춰 양산을 시작한 차세대 제품으로, 프리미엄 서버 시장에서 기존 DDR3를 DDR4로 전환할 D램 제품이다.

DDR은 D램 반도체의 동작속도 규격으로, DDR1에서 DDR4로 진화하면서 단계마다 데이터 처리속도는 2배씩 빨라지고 전력 효율은 높아졌다. 20나노 8Gb D램 기반의 DDR4 서버용 모듈 제품은 기존 DDR3 기반의 모듈보다 약 30% 빠른 2400Mbps의 고성능을 구현하는 반면, 동작 전압은 1.2V로 DDR3(1.5V)보다 낮아 소비 전력을 줄여준다. 또 기존 4Gb 제품 기반으로는 최대 64기가바이트(GB) 용량의 모듈만 가능하지만, 이번 8Gb D램과 삼성전자의 실리콘관통전극(TSV) 기술을 접목하면 최대 128GB의 모듈을 공급할 수 있다.

삼성전자는 지난 3월 20나노 PC용 D램 양산에 성공한 이후 지난 9월 모바일용 D램에 이어 이번에 서버용 D램에도 20나노 공정을 적용해 ‘20나노 D램 시대’를 주도할 풀 라인업을 구축했다.

노용택 기자 nyt@kmib.co.kr



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