SK하이닉스가 세계 최초로 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4’의 개발을 마무리하고 양산 체제를 구축했다고 12일 밝혔다.
HBM는 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가·고성능 제품이다. SK하이닉스는 올해 3월 HBM4 12단 샘플을 고객사에 공급했고 6개월 만에 양산 준비를 마쳤다. 경쟁사를 제치고 가장 먼저 상용화를 시작하며 차세대 메모리 시장 주도권을 선점했다는 평가가 나온다.
6세대 제품인 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율도 40% 이상 끌어올렸다. 대역폭은 패키지 1개가 초당 처리할 수 있는 총 데이터 용량을 뜻한다. 수치가 높을수록 한 번에 더 많은 양의 데이터를 주고 받을 수 있다.
SK하이닉스는 HBM4를 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있다고 전했다. 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 회사는 전망했다.
아울러 HBM4는 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현해 미국전자산업표준협의회(JEDEC) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 앞섰다. 개발 과정에서 SK하이닉스 고유의 접착·몰딩 공정(MR-MUF), 10㎚(1㎚=10억분의 1m)급 5세대 1b D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했다.
김주선 SK하이닉스 AI 인프라 사장(CMO)은 “(HBM4은) AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “당사는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급하여 ‘풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’로 성장해 나가겠다”고 말했다.
박상은 기자 pse0212@kmib.co.kr
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