삼성전자가 지난해에 최초 개발한 14나노미터(㎚·10억분의 1m) 기반의 ‘LPDDR5X(저전력 더블 데이터 레이트 5X)’ D램으로 업계 최고 수준의 동작 속도를 구현했다. 차세대 저전력 메모리 시장을 주도할 기술을 확보했다는 평가를 받는다.
삼성전자는 18일 퀄컴 최신 플랫폼에서 극자외선(EUV) 기술을 적용한 14나노 기반 LPDDR5X D램 8GB(기가바이트) 패키지가 8.5Gbps(초당 기가비트)의 동작속도를 기록했다고 밝혔다. 삼성전자는 지난 3월 퀄컴과 협력해 동작 속도 7.5Gbps를 검증했었다. 1Gbps 차이는 모바일 기기에 탑재했을 때 초당 4GB의 풀HD 영화 2편을 더 처리할 수 있는 속도다. 8.5Gbps는 이전 세대 LPDDR5의 동작 속도(6.4Gbps)보다 1.3배 빠르다. 삼성전자는 LPDDR5X D램에 메모리와 모바일 애플리케이션프로세서(AP) 간 통신신호의 노이즈 영향을 최소화하는 핵심 회로설계 기술인 ‘고속 입출력 신호 개선 설계’ 등을 적용했다. 삼성전자는 “5개월 만에 기술을 한 단계 더 진전시켰다. 저전력 솔루션 기술 리더십을 증명한 것”이라고 강조했다.
삼성전자는 LPDDR5X D램이 저전력·고성능이라는 강점을 갖춘 만큼 기존 모바일 시장을 넘어 서버 고성능 컴퓨팅(HPC), 전자장비 등으로 활용도를 넓힐 것으로 기대한다. 인공지능(AI), 메타버스 등으로도 시장이 확대할 전망이다. 이동기 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 부사장은 “초고속 인터페이스 대중화를 1년 이상 앞당길 수 있게 됐다. 퀄컴과 차세대 메모리 표준 관련 기술 협력을 강화하겠다”고 말했다.
전성필 기자 feel@kmib.co.kr
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