삼성전자가 세계 최초로 3나노(㎚·1㎚는 10억분의 1ｍ) 공정을 통한 파운드리(반도체 위탁생산) 제품 양산에 성공했다. 삼성전자는 이례적으로 제품 출하식을 열고 TSMC를 추격하겠다는 의지를 강하게 드러냈다.
삼성전자는 25일 경기도 화성캠퍼스 내 극자외선(EUV) 전용 V1 라인에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 가졌다. 이창양 산업통상자원부 장관, 삼성전자 DS부문장인 경계현 대표이사(사장), 임직원, 협력사·팹리스 관계자 등 100여명이 참석했다.
삼성전자는 지난달 말에 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 공정 양산에 들어간다고 발표했었다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이라는 평가를 받는다. TSMC, 인텔 등의 경쟁사를 제치고 삼성전자에서 가장 먼저 선보이면서 ‘우위’를 선점했다.
반도체 업계는 이날 출하식을 두고 “삼성전자의 ‘자신감’을 강조한 행보”라고 해석한다. 파운드리 업계 1위인 TSMC보다 기술에서 한 발 앞섰다는 점을 전 세계에 알린다는 의미로 받아들인다. 삼성전자는 그동안 7나노, 5나노 등의 파운드리 제품을 양산하면서 대외적으로 출하식을 개최한 적이 없다. 경 사장은 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적 결과”라고 강조했다.
삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 먼저 적용하고, 주요 고객사와 협력해 모바일 시스템온칩(SoC) 등의 다양한 제품군으로 넓힐 계획이다. 향후 평택 캠퍼스까지 3나노 GAA 파운드리 공정 제품의 양산을 확대해 나갈 예정이다.
전성필 기자
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