삼성전자는 극자외선(EUV) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 D램(사진) 양산에 들어갔다고 12일 밝혔다. D램 시장에서 압도적인 1위를 차지하고 있는 삼성전자는 기술격차를 확대해 경쟁업체들의 추격을 따돌린다는 전략이다.
삼성전자가 이번에 양산에 들어간 공정은 14나노에 5개의 레이어에 EUV를 적용했다. EUV를 적용하면 반도체 회로를 보다 세밀하게 구현할 수 있어서 성능과 수율을 끌어올리는 데 도움이 된다.
5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐고, 소비전력은 약 20% 개선됐다. 삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5 D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다. 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화 되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속 커지고 있다.
또 삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.
앞서 마이크론은 올해 1월 10나노급 4세대(1a) D램 양산 성공을 발표했고, SK하이닉스도 7월 EUV를 적용한 1a D램 양산에 돌입했다. 구체적인 숫자를 표시하지는 않았지만, 업계에서는 SK하이닉스와 마이크론 모두 14나노급 D램으로 보고 있다. 마이크론은 EUV를 적용하지 않았고, SK하이닉스는 1개의 레이어에만 EUV를 적용했다.
삼성전자는 양산 시기는 다소 늦었지만, 기술 격차를 벌여 향후 D램 경쟁에서 우위를 점할 수 있게 됐다. 특히 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 차별화된 성능과 안정된 수율을 구현해, DDR5 D램 대중화를 선도한다는 전략이다.
시장 조사업체 옴디아에 따르면 올해 2분기 삼성전자의 D램 점유율은 43.2%로 톱3 업체 중 유일하게 1분기 대비 점유율이 상승했다. 삼성전자는 1분기 대비 2.0%, 전년 동기 대비 1.1% 점유율이 올랐다.
반도체 업계 관계자는 “공정이 미세화하면서 원가 절감 난이도가 점점 높아지고 있다”면서 “0.1나노 차이로도 성능, 웨이퍼당 직접도, 공정 스텝수, 원가 등에서 차이가 나기 때문에 경쟁력에 큰 차별점이 될 수 있다”고 말했다.
김준엽 기자 snoopy@kmib.co.kr
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