SK하이닉스가 업계 최초로 ‘High-K EMC’ 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품을 개발해 고객사 공급을 시작했다고 28일 밝혔다.
이 제품은 기존에 EMC의 소재로 사용하던 ‘실리카’에 ‘알루미나’를 혼합 적용한 신소재인 ‘High-K EMC’를 차용해 개발한 D램이다. 최근 온디바이스 인공지능(AI)을 구현하기 위해 스마트폰에서 데이터를 고속 처리하는 일이 많아졌는데, 이 때 발생하는 발열로 인한 스마트폰 성능 저하를 해결하는 게 업계의 고민이었다.
이런 문제 때문에 최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP 위에 D램을 적층하는 ‘PoP’ 방식을 적용했다. 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 향상하는 데는 성공했지만, 여전히 AP 발열로 인한 성능 저하는 피하지 못했다.
SK하이닉스는 새 제품으로 열전도도를 기존 대비 3.5배 수준으로 대폭 향상시켰으며 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선했다고 설명했다. 이렇게 개선된 방열 성능은 스마트폰 성능 개선, 소비 전력 절감 등을 통해 배터리 지속 시간과 제품 수명 연장에 기여할 수 있다.
이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축해 나가겠다”고 말했다.
김지훈 기자 germany@kmib.co.kr
GoodNews paper ⓒ 국민일보(www.kmib.co.kr), 무단전재, 수집, 재배포 및 AI학습 이용 금지
