고대역폭 메모리(HBM)에서 선전한 SK하이닉스가 1위 삼성전자와 점유율 격차를 크게 줄였다. 삼성전자는 ‘실리콘 관통 전극(TSV)’이 필요 없는 D램 신제품을 개발해 점유율 격차를 다시 벌린다는 전략이다.
3일 업계에 따르면 D램 업계 1위 삼성전자와 2위 SK하이닉스의 점유율 차이는 최근 10년 사이 가장 가깝게 좁혀졌다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 올해 2분기 삼성전자의 D램 매출은 41억 달러로 전 분기 대비 3% 증가했다. 점유율은 38.2%로 전 분기(42.8%)보다 줄었다.
반면, SK하이닉스 매출은 전 분기보다 49% 늘어난 34억 달러로 집계됐다. 점유율은 31.9%로 전 분기(24.7%) 대비 7.2% 포인트 상승했다. 삼성전자와의 점유율 격차는 6.3% 포인트에 불과했다. 두 회사의 점유율 격차가 10% 포인트 안쪽으로 좁혀진 것은 이례적이다. 옴디아는 “이 수치가 최근 10년 사이 가장 낮은 수준”이라고 설명했다.
삼성전자가 D램 시장에서 30%대 점유율을 기록한 건 2013년(36.2%)이 마지막이었다. SK하이닉스는 최근 10년간 연간 점유율 30% 선을 넘은 적이 없다. 삼성전자는 늘 40% 초중반, SK하이닉스는 20% 중반대의 점유율을 유지해왔다.
점유율이 요동친 배경에는 인공지능(AI) 반도체 열풍과 이에 따른 HBM 수요 급증이 자리한다. SK하이닉스는 올해 2분기 실적 발표에서 HBM과 그래픽 D램(GDDR) 매출이 전체의 20%를 차지했다고 공개했다. 엔비디아의 AI 반도체에 SK하이닉스의 HBM이 탑재된 영향이 컸다.
삼성전자는 HBM 확대를 위해 승부수를 띄웠다. 삼성전자는 지난 1일 업계 최초로 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램을 선보였다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 이 제품은 128기가바이트(GB) 모듈을 TSV 공정 없이 만들 수 있는 특징을 지닌다.
HBM에서 TSV는 핵심 공정이다. DDR5에 TSV 공정을 사용하지 않으면 HBM에 집중시킬 수 있기 때문에 HBM 생산량 확대에 도움이 된다. 삼성전자는 내년에 HBM 생산능력을 배로 늘릴 계획이다.
삼성전자는 HBM 판매 확대도 본격화한다. 삼성전자는 최근 엔비디아에 HBM3 샘플을 보냈고, 오는 4분기부터 공급을 시작할 것으로 알려졌다. 내년 엔비디아 AI 반도체에 탑재될 HBM3의 30%를 삼성전자에서 공급할 것으로 예상된다. 엔비디아 공급 가능성이 전해지자 삼성전자 주가는 지난 1일 6.13% 올랐다.
김준엽 기자 snoopy@kmib.co.kr
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