삼성전자가 업계 최초로 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발했다고 1일 밝혔다. D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량으로, 연내 양산할 계획이다. 삼성전자는 이번 개발로 1983년 64킬로비트(Kb) D램을 개발한 지 40년 만에 D램 용량을 50만배 늘렸다.
삼성전자는 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산했다. 32Gb 제품은 동일 패키지 크기에서 아키텍처를 개선해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현했다. 이에 따라 128기가바이트(GB) 모듈을 실리콘 관통 전극(TSV) 공정 없이 제작할 수 있게 됐다. TSV 공정은 첨단 패키징 기술로, 기존 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈을 제작할 때는 TSV 공정 사용이 필수였다.
이는 고대역폭 메모리(HBM)의 가파른 수요·공급 증가에 큰 도움을 줄 것 전망이다. HBM을 생산하는 핵심 공정이 TSV인데, 한정된 TSV 생산능력을 고용량 D램 모듈과 나눠 사용해야 한다. TSV 기술을 사용하지 않는 고용량 D램 모듈 제작이 가능해지면 그만큼 HBM 생산능력이 늘어날 수 있다.
이번 제품은 동일 128GB 모듈 기준으로 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능하다. 데이터센터를 비롯해 효율을 중요시하는 IT 기업에 도움이 될 것으로 업계는 기대한다.
삼성전자는 고용량 D램 제품군을 지속해서 확대할 예정이다. 인공지능(AI) 시대를 선도할 고용량·고성능·저전력 제품들로 글로벌 IT 기업과 협력해 차세대 D램 시장을 끌고 간다는 구상이다. AI와 메타버스, 디지털 트윈, 자율주행 등 최근 부상하는 산업이 많은 데이터를 요구함에 따라 세계적 기업은 데이터센터 확보를 위해 투자하고 있다. 삼성전자는 “이번 32Gb 대용량 D램 개발은 고성능 D램을 원하지만, 투자비도 고려해야 하는 기업에 혁신적인 솔루션이 될 수 있을 것”이라고 말했다.
삼성전자는 이번 제품 개발로 1테라바이트(TB) D램 모듈 시대를 열 수 있는 기술을 만들었다고 자평했다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 “이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다. 앞으로도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것”이라고 밝혔다.
황민혁 기자 okjs@kmib.co.kr
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