SK하이닉스가 세계 최초로 12단 적층 4세대 고대역폭메모리(HBM)를 개발했다. D램 칩을 10단 이상으로 쌓는 건 SK하이닉스가 처음이다. 차세대 메모리 기술의 한계를 돌파했다는 평가를 받는다.
SK하이닉스는 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24기가바이트(GB)를 구현한 HBM3 신제품 개발에 성공했다고 20일 밝혔다. HBM는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 최고 성능의 D램으로 불린다. 2013년 SK하이닉스에서 세계 최초로 개발했다. 1세대부터 4세대(HBM3) 제품까지 나왔다.
여러 개의 D램을 수직으로 연결하는 기술이 핵심이다. 그동안 D램 적층의 경우 기술 난도가 높아 8단까지 쌓는 데 그쳤다. 16GB가 최대 용량이었다. SK하이닉스는 기술적 한계를 돌파하며 12단 적층에 성공했다. 용량도 HBM 중 가장 큰 24GB를 구현했다. D램 메모리는 용량이 클수록 데이터를 더 빠르게 처리한다. 신제품은 최대 819GB/s(초당 819기가바이트)의 속도를 구현한다. 풀HD 영화 163편을 1초 만에 전송할 수 있다.
SK하이닉스는 “다수의 글로벌 고객사에 HBM3 24GB 샘플을 제공해 성능 검증을 진행 중이다. 고객들이 큰 기대감을 보이고 있다”고 전했다.
SK하이닉스는 생성형 인공지능(AI) 산업이 커질수록 빠른 데이터 처리 속도의 중요성이 높아지기 때문에 이번 신제품이 반도체 업계의 주목을 받을 것으로 기대한다. 홍상후 SK하이닉스 부사장은 “올해 상반기 내 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대에 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다”고 말했다.
전성필 기자 feel@kmib.co.kr
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