SK하이닉스는 현존하는 D램 중 가장 빠른 ‘HBM2E’ 양산에 돌입했다고 2일 밝혔다. 지난해 8월 HBM2E 개발 이후 10개월 만의 성과다. HBM2E는 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터 처리가 가능한 제품이다. 1초에 460기가바이트(GB)의 데이터를 처리하는 D램으로 FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편을 단 1초에 전달할 수 있다.
용량은 8개의 16기가비트(Gb) D램 칩을 TSV(Through Silicon Via) 기술로 연결해 이전에 비해 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다. TSV는 D램 칩(Chip)에 구멍을 뚫어 상하를 연결하는 기술이다. 초고속·고용량·저전력 특성을 가진 HBM2E는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기, 고성능 컴퓨팅 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화된 메모리 솔루션이다.
강주화 기자 rula@kmib.co.kr
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