삼성전자가 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축한다. 삼성전자의 평택캠퍼스 낸드플래시 생산라인 증설 투자 발표는 극자외선(EUV) 파운드리 라인을 조성하겠다고 밝힌 지 열흘 만이다. 업계에서는 이번 투자를 8조 규모로 관측한다. EUV 파운드리 라인 투자액은 10조로 예상됐다.
삼성전자는 5월 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했고, 2021년 하반기 양산을 시작할 계획이라고 1일 밝혔다. 이번 투자는 AI, IoT 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드 수요 확대에 대응하기 위해서다. 최근 ‘언택트’ 라이프스타일 확산으로 이런 추세가 더욱 가속될 것으로 예상하기 때문이다.
이재용 삼성전자 부회장은 지난달 21일 평택 EUV 파운드리 생산라인 조성 결정 때 “어려운 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”고 했다.
2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로써 세계 최대 규모의 생산라인 2개가 건설됐다. 이번 투자로 증설될 라인에서는 최첨단 V낸드 제품이 양산될 예정이다. 최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 “이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력”이라고 했다.
삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 독보적인 제조, 기술경쟁력으로 글로벌 시장 1위의 자리를 지키고 있다. 지난해 7월에는 업계 최초로 6세대(1xx단) V낸드 제품을 양산했다. 삼성전자는 국내에는 화성과 평택, 해외에는 중국 시안에 낸드플래시 생산라인을 운영 중이며 국내외 균형있는 투자를 통해 안정적인 글로벌 공급망을 유지하고 시장 지위를 더욱 굳건히 할 예정이다.
삼성전자는 지난해 4월 시스템반도체 분야에 133조원을 투자하고 전문인력 1만5000명을 채용하는 ‘반도체 비전 2030’을 발표했다. 이 부회장은 지난 2월 화성 EUV전용 V1라인 현장을 방문했고 지난달에는 중국 시안 사업장을 시찰했다. 지난달 평택 파운드리 라인 조성에 이어 이날 낸드 증설 투자 발표까지 연속적으로 반도체 경영 행보를 강화하고 있다.
이런 잇단 투자 발표와 현장 경영은 삼성전자의 사법 리스크가 커지는 가운데 이뤄지는 것이어서 더 주목받고 있다. 국정농단 관련 파기환송심 재판이 진행 중인 가운데 이 부회장은 삼성 바이오로직스 회계 부정 관련해 최근 2차례 검찰 소환 조사를 받았다. 검찰은 조만간 이 부회장 등 관련 임원에 대한 사법처리 여부를 결정할 계획으로 전해지고 있다.
강주화 기자 rula@kmib.co.kr
GoodNews paper ⓒ 국민일보(www.kmib.co.kr), 무단전재, 수집, 재배포 및 AI학습 이용 금지
