현재 쓰이는 낸드(NAND) 플래시 메모리보다 1000배 빠른 메모리 칩을 개발하는 것이 가능할까?
미국의 반도체 기업 인텔과 마이크론이 낸드 플래시 메모리보다 1000배 빠른 새 유형의 메모리 칩을 개발해 생산하기로 했다고 28일(현지시간) 밝혔다.
두 회사는 ‘3D 크로스포인트(XPoint)’라는 이름이 붙은 기술을 이용한 신형 메모리 칩의 시제품을 올해 안에 미국 유타의 양사 합작 공장에서 생산, 일부 고객사에 공급하기로 했다.
이 메모리 칩은 전원 공급이 끊기더라도 기억된 내용이 보존되는 ‘비휘발성 메모리’지만 기존 낸드 플래시 메모리보다 속도가 훨씬 빠르고 수명도 길다는 것이 양사의 설명이다.
양사는 “이 기술이 메모리 기술의 돌파구”라며 “낸드 플래시가 개발된 지 25년여 만에 새로운 메모리 카테고리가 만들어지는 것”이라고 주장했다.
이 소식이 발표된 28일 미국 뉴욕 나스닥에서 인텔과 마이크론의 주식은 마감을 1시간 15분 앞두고 전날 종가보다 각각 2.28%, 10.10% 오른 가격에 거래됐다.
이번 발표에 대해 다른 반도체 기업들도 차세대 비휘발성 메모리로 저항성 램(ReRAM), 자기저항성 램(M램) 등을 개발 중이므로 인텔과 마이크론의 3D 크로스포인트 기술이 타사보다 크게 나은지 아직 판단하기 어렵고 내년이나 내후년이 돼 봐야 실체를 알 수 있을 것이라는 유보적 회의론도 만만치 않다.
김태희 선임기자 thkim@kmib.co.kr
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인텔·마이크론, 낸드보다 1000배 빠른 메모리칩 만든다
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