삼성 세계 최초 20나노 4기가비트 D램 양산

삼성전자가 20나노 4기가비트(Gb) D램(사진) 양산을 시작하며 메모리 시장 선도를 이어갈 전망이다.

삼성전자는 독자기술을 통해 이달부터 세계 최초로 차세대 20나노 4Gb DDR3(Double Data Rate 3) D램을 본격 양산한다고 11일 밝혔다. 1나노는 10억분의 1m다.

20나노 D램은 2012년 삼성전자가 세계 최초로 양산한 25나노 D램보다 PC에서 소비전력을 25%가량 절감할 수 있다. 생산성은 25나노 D램보다 30% 이상, 30나노급 D램보다 배 이상 높다. 생산성이 높다는 것은 반도체의 원재료인 실리콘 원판에서 더 많은 반도체 칩을 만들어낼 수 있다는 뜻이다.

삼성전자 측은 20나노 D램에 신기술을 적용해 미세화 기술의 한계를 돌파했다고 설명했다.

낸드 플래시는 셀(정보저장의 최소 단위)이 트랜지스터 하나로 구성돼 구조가 비교적 단순하다. 그러나 D램은 트랜지스터와 전력을 충전하는 장치인 커패시터가 쌓여 있는 구조이기 때문에 20나노 공정 미세화가 더 어려웠다. 20나노 D램에는 커패시터 유전막을 형성하는 물질을 기존 나노 단위에서 10분의 1 나노인 옹스트롬 단위로 제어하는 ‘초미세 유전막 형성 기술’과 기존 포토장비(반도체 설계도를 새겨넣는 장비)로도 20나노 D램은 물론 차세대 10나노급 D램까지 양산할 수 있는 ‘개량형 이중 포토 노광 기술’이 적용됐다.

전영현 메모리사업부 전략마케팅팀장(부사장)은 “저전력 20나노 D램은 PC시장에서 모바일 시장까지 빠르게 비중을 확대하며 시장의 주력 제품이 될 것”이라고 말했다.

임세정 기자 fish813@kmib.co.kr



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