TSV 기술 기반 메모리 개발… 4배 빠르고 전력은 40% 절감

SK하이닉스가 업계 최초로 TSV(Through Silicon Via·실리콘관통전극) 기술 기반 초고속 메모리를 개발했다. SK하이닉스는 26일 TSV 기술을 적용한 HBM(High Bandwidth Memory·초고속 메모리) 제품을 개발하는 데 성공했다고 밝혔다.

이 제품은 국제반도체표준협의기구인 JEDEC에서 표준화를 진행 중인 고성능·저전력·고용량 D램으로 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 낼 수 있다. 초당 28GB의 데이터를 처리하는 현재 업계 최고속 제품 GDDR5보다 4배 이상 빠른 속도다. 전력소비도 40%가량 낮췄다. 이번 제품은 고사양 그래픽 시장을 시작으로 향후 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 전망이다.

SK하이닉스는 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층했으며 기술 검증을 위해 그래픽 분야 선두 업체인 AMD와 공동 개발을 진행했다. 샘플은 내년 상반기 중 HBM을 SoC(System on Chip·여러 기능을 가진 시스템을 하나의 칩 속에 집적한 반도체)와 같이 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 공급될 예정이다. SiP는 한 패키지를 여러 개의 칩으로 구성해 완전한 시스템을 구현한 것을 말한다. 이번에 개발을 완료한 HBM은 내년 하반기부터 본격 양산된다.

SK하이닉스 D램개발본부장 홍성주 전무는 “내년 상용화를 시작으로 제품 포트폴리오를 더욱 강화해 메모리 시장에서 주도권을 지속적으로 확보하겠다”고 말했다.

임세정 기자 fish813@kmib.co.kr



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