포스텍 용기중 교수팀, 물속에서도 젖지 않는 차세대 메모리 소자 개발

국내 연구진이 머리카락 굵기의 10만분의 1인 나노선(線)을 이용해 물속에서도 젖지 않는 차세대 메모리 소자를 개발했다. 이로써 방수 컴퓨터와 스마트폰 개발에 한걸음 다가서게 됐다.

교육과학기술부는 용기중 포스텍 교수 연구팀이 생체모방기술(연잎효과)을 이용해 물속에서도 젖지 않으면서 전원 없이도 저장된 정보를 유지할 수 있는 차세대 비휘발성 메모리 소자(저항메모리 소자·RRAM) 개발에 성공했다고 22일 밝혔다.

연구팀은 텅스텐산화물 반도체 나노선을 합성한 후 표면을 단분자막으로 화학 코팅해 물속에서도 젖지 않으면서 자가세정 효과가 있는 초발수(超撥水) 저항메모리 소자를 개발했다. 기존 저항메모리 소자 개발에 추가 공정 없이도 초발수 특성을 유지, 물에 젖지 않으면서도 안정적으로 소자가 작동되는 것이 특징이다.

연구결과는 신소재분야의 학술지 ‘어드밴스드 머티리얼즈(Advanced Materials)’ 온라인판에 지난 10일 실렸다.

임항 기자 hnglim@kmib.co.kr



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