하이닉스, 2010년 투자 3조500억으로 대폭 늘린다

삼성전자에 이어 하이닉스반도체도 올해 투자 규모를 대폭 늘린다.

하이닉스반도체는 올해 투자를 당초 계획한 2조3000억원보다 7500억원 증가한 3조500억원으로 확대하기로 했다고 31일 밝혔다.

하이닉스 관계자는 “견조한 수요를 바탕으로 메모리반도체 시장 환경이 변하고 있다”며 “서버와 그래픽, 모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 수요에 적극적으로 대응하기 위한 투자”라고 설명했다. 또 차세대 제품 개발을 위한 연구개발(R&D) 투자도 확대, 기술경쟁력을 확보할 방침이다.

하이닉스는 이번 투자 확대로 40나노급 D램 공정 전환을 가속화해 현재 15% 수준인 40나노급 제품 비중을 연말까지 50%로 끌어올릴 방침이다.

40나노급 D램은 50나노급보다 생산성이 50% 이상 높아져 원가 경쟁력이 강화된다. 이를 바탕으로 DDR3 등 고부가가치 제품을 수요자들에 적기에 공급, 수익성을 높일 계획이다.

앞서 삼성전자도 올해 메모리 반도체 부문 투자액을 원래 계획한 5조5000억원에서 9조원으로 확대했다.

양사의 투자는 PC 시장 호황과 스마트폰 등 새로운 제품이 인기를 끌면서 반도체 수요가 늘어나는 데 대응하기 위한 것이다. 올 들어 D램은 공급부족 현상이 지속되고 있다.

김도훈 기자 kinchy@kmib.co.kr



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