충남대 윤순길 교수팀，비휘발성 멀티 메모리 기술 개발

국내 연구진이 상(狀)변화 메모리 재료의 박막과 나노와이어를 제조할 수 있는 메커니즘을 규명, 차세대 비휘발성 ‘멀티 레벨 메모리’ 개발의 실마리를 풀게 됐다.

충남대 윤순길(사진) 교수팀은 저온에서 화학기상증착법(CVD)을 이용해 상변화 재료인 IST(In-Sb-Te) 박막 제조와 나노와이어 성장을 조절하는 방법으로 고집적 상변화 메모리 소자를 만드는 신기술을 개발했다고 3일 밝혔다. 상변화 메모리는 특정 물질의 이진법 정보를 저장하고 판독하는 메모리 소자로, 구조가 단순하고 생산 단가는 저렴하지만 성능이 D램에 준할 정도로 뛰어나다.

윤 교수팀의 이번 연구 결과는 세계적인 나노분야 전문잡지 ‘나노레터(Nano Letters)’지 온라인판 최신호에 게재됐다. 지금까지 상변화 재료에 대한 연구는 대부분 GST(Ge-Sb-Te) 재료를 이용한 것으로, 고집적 소자를 만들기 위한 CVD 공정기술 확보가 관건이었다. 그러나 세계 어떤 기관도 100㎚급 소자에 적용할 수 있는 공정기술을 개발하지 못했었다.

민태원 기자 twmin@kmib.co.kr





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